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KPEL-M系列低電壓高電流直流電子負(fù)載-科億維電氣

電子負(fù)載是通過控制和調(diào)整跨接在其輸入端的FET功率場(chǎng)效應(yīng)管RDS，似乎將多臺(tái)電子負(fù)載串聯(lián)應(yīng)該沒有什么大問題。如圖2所示，假如我們將兩臺(tái)串聯(lián)的電子負(fù)載都設(shè)置為CC模式，而且設(shè)置為完全相同的電流值，譬如都設(shè)置為10.00A。但實(shí)際上電子負(fù)載不可能是的10.00A，如果其中一臺(tái)實(shí)際為9.99A，而另外一臺(tái)為10.01A。這樣一來，電子負(fù)載2就不可能達(dá)到其設(shè)置值，因此，它就不停的減小FET的RDS直到0（短路），這樣所有的電壓就全部加載到電子負(fù)載1上使得它過壓損壞。

　　也有人建議兩臺(tái)電子負(fù)載分別工作于恒流CC模式和恒壓CV模式，而且這似乎可以實(shí)現(xiàn)設(shè)定電壓、電流點(diǎn)的工作狀態(tài)。但是如何讓這兩臺(tái)電子負(fù)載進(jìn)入到設(shè)定的CC及CV工作點(diǎn)？

　　假設(shè)我們先設(shè)定好電子負(fù)載，然后再將負(fù)載連接到被測(cè)電源，設(shè)定于CC模式的電子負(fù)載因?yàn)闆]有任何電流，因此將FET的RDS設(shè)置為0（短路）；而設(shè)定于CV模式的電子負(fù)載因?yàn)闆]有任何電壓，將FET的RDS設(shè)置為+∞

　　（開路）。所以在電源接入的瞬間，電源上的所有電壓100V都加載到CV模式的負(fù)載上，就可能損壞。

大功率直流電子負(fù)載是一種常見的電子設(shè)備，用于模擬電子元件的電流和電壓特性，廣泛應(yīng)用于電子元件、電源、電力電子設(shè)備等領(lǐng)域。在選擇大功率直流電子負(fù)載時(shí)，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：
功率：根據(jù)需要模擬的電流和電壓特性，選擇合適的功率。
精度：根據(jù)需要模擬的電流和電壓精度，選擇合適的精度。
控制方式：根據(jù)需要模擬的電流和電壓控制方式，選擇合適的控制方式。
可擴(kuò)展性：根據(jù)需要模擬的電流和電壓范圍，選擇具有可擴(kuò)展性的電子負(fù)載。
安全性：根據(jù)需要模擬的電流和電壓安全性，選擇具有安全性的電子負(fù)載。

在進(jìn)行高電流直流電子負(fù)載測(cè)試時(shí)，需要注意以下幾點(diǎn)：
1.確保設(shè)備安全。在連接電源線、信號(hào)線和控制接口等線路時(shí)要小心謹(jǐn)慎，避免短路等情況發(fā)生。同時(shí)要選擇合適的插座和插口進(jìn)行匹配使用以防止電壓過高導(dǎo)致火災(zāi)事故的發(fā)生。如果需要長(zhǎng)時(shí)間工作的話建議配備一個(gè)防水盒以免造成不必要的損失。在使用前一定要檢查設(shè)備的完好性和安全性方可投入正常使用中。